NLAS5223C 超低0.35Ω雙通道SPDT模擬開關(guān)
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:雙SPDT模擬開關(guān)
NLAS5223C是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)CMOS模擬開關(guān)。該器件是雙獨(dú)立單刀雙擲(SPDT)開關(guān),具有0.35的超低RON,VCC = 4.3 V.該器件還具有保證斷路前(BBM)開關(guān),確保開關(guān)不會(huì)使驅(qū)動(dòng)器短路。 / div>
特性 | 優(yōu)勢(shì) |
- 超低RON,0.35(典型值),VCC = 4.3 V
| |
| - 無需創(chuàng)建新電源軌即可在大多數(shù)平臺(tái)上使用
|
| |
| - 支持更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間
|
| |
- 1.4 x 1.8 x 0.55 mm UQFN10無鉛
| |
應(yīng)用 | 終端產(chǎn)品 |
- 手機(jī)音頻模塊
- 揚(yáng)聲器和耳機(jī)切換
- 振鈴芯片/放大器切換
- 調(diào)制解調(diào)器
| |
電路圖、引腳圖和封裝圖