NLAST4599是一款先進的高速CMOS單極 - 雙極模擬開關,采用硅柵CMOS技術制造。它實現了高速傳播延遲和低導通電阻,同時保持低功耗。該開關控制模擬和數字電壓,這些電壓可能在整個電源范圍內變化(從V CC 到GND)。
設備的設計使得導通電阻(R <輸入電壓> sub )比典型CMOS模擬開關的R ON 更低且更線性。
通道選擇輸入與TTL電平兼容。 br>
無論電源電壓如何,當施加0 V和5.5 V之間的電壓時,通道選擇輸入結構可提供保護。此輸入結構有助于防止由電源電壓引起的器件損壞 - 輸入/輸出電壓不匹配,備用電池,熱插拔等。
特性 |
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- 低功耗:I CC = 2 mA(Max),T A = 25°C
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- ESD性能:HBM> 2000 V; MM> 200 V,CDM> 500 V
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電路圖、引腳圖和封裝圖