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PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驅動器

數據:

STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驅動器在單一緊湊型系統級封裝 (SiP) 中集成了柵極驅動器和四個N通道功率MOSFET,采用雙半橋配置。集成式功率MOSFET的漏源導通電阻或RDS (ON) 為1.38Ω,漏源擊穿電壓為600V。嵌入式柵極驅動器的高側可方便地通過集成自舉二極管供電。PWD5F60功率驅動器的集成度高,因此能在空間受限的應用中高效地驅動負載。

PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。PWD5F60还嵌入了两个独立的比较器,用于防止过流和过热。

该器件采用紧凑型15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装。

特性

  • 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET
    • R DS(ON) = 1.38Ω
    • BVDSS =600伏
  • 配置选项:
    • 全桥 
    • 双独立半桥
  • 低侧和高侧UVLO保护
  • 3.3V至15V兼容输入,具有迟滞和下拉功能
  • 内置自举二极管
  • 独立比较器
  • 可调节的死区时间
  • 材料清单减少
  • 紧凑、简化的布局
  • 灵活的设计
  • 工作温度范围:-40°C至125°C
  • 15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装

应用

  • 工业风扇和泵
  • 烹饪护罩和气体加热器
  • 鼓风机
  • 工业驱动器
  • 工厂自动化
  • 电源装置

开发工具

STMicroelectronics EVALPWD5F60演示板

一款评估板,用于集成高压全桥的PWD5F60高密度功率驱动器。

框图

技術文檔

數據手冊(1)
元器件購買 PWD5F60TR 相關庫存
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