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TS5N118是一款高帶寬FET總線開關，利用電荷泵提升傳輸晶體管的柵極電壓，提供低而平坦的導通狀態阻力（r on ）。低而平坦的導通電阻允許最小的傳播延遲，并支持數據輸入/輸出（I /O）端口上的軌到軌切換。該器件還具有低數據I /O電容，可最大限度地減少數據總線上的電容負載和信號失真。 TS5N118專為支持高帶寬應用而設計，提供優化的接口解決方案，非常適合寬帶通信，網絡和數據密集型計算系統。
TS5N118是1/8復用器/解復用器使用單個輸出啟用（> OE ）輸入。選擇（S0，S1，S2）輸入控制多路復用器/多路分解器的數據路徑。當 OE 為低電平時，多路復用器/多路分解器啟用，A端口連接到B端口，允許端口之間的雙向數據流。當 OE 為高電平時，多路復用器/多路分解器被禁用，A和B端口之間存在高阻態。
此設備完全為使用I off 的部分斷電應用指定。 I off 電路可防止在斷電時損壞通過器件的電流。在斷電期間，器件具有隔離功能。
為確保上電或斷電期間的高阻態， OE 應綁定到V CC 通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。
<小>
| Configuration |
| Number of Channels (#) |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Ron (Typ) (Ohms) |
| Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
| Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
| ICC (Max) (uA) |
| Bandwidth (MHz) |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Package Group |
| ESD Charged Device Model (kV) |
| Input/Output Continuous Current (Max) (mA) |
| Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF) |
| Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF) |
| OFF-state leakage current (Max) (µA) |
| Ron (Max) (Ohms) |
| VIH (Min) (V) |
| VIL (Max) (V) |
| TS5N118 |
|---|
| 8:1 |
| 1 |
| 4.75 |
| 5.25 |
| 3 |
| 0 |
| 10 |
| 10000 |
| 25 |
| -40 to 85 |
| 16SSOP: 29 mm2: 6 x 4.9(SSOP) |
| SSOP |
| 1 |
| 100 |
| 20 |
| 160 |
| 10 |
| 12.5 |
| 2 |
| 0.8 |
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