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CSD88539ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND

數(shù)據(jù):

描述

這款雙路小外形尺寸(SO)-8,60V,23mΩNexFET功率MOSFET被設計運行為低電流電機控制應用中的半橋。

頂視圖R θJA = 60°C /W,這是在一個厚度0.06英寸環(huán)氧樹脂(FR4)印刷電路板(PCB)上的1英寸 2 ,2盎司的銅過渡墊片上測得的典型值脈沖持續(xù)時間≤300μs,占空比≤2%

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 雪崩額定值
  • 無鉛
  • 符合RoHS環(huán)保標準
  • 無鹵素

應用范圍

  • 用于電機控制的半橋
  • 同步降壓轉換器

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET

?
VDS (V)
Logic Level
RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
QG Typ (nC)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
QGS Typ (nC)
QGD Typ (nC)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
CSD88539ND CSD88537ND
60 ? ? 60 ? ?
No ? ? No ? ?
23 ? ? 12.5 ? ?
28 ? ? 15 ? ?
46 ? ? 62 ? ?
11.7 ? ? 16 ? ?
14 ? ? 14 ? ?
Dual ? ? Dual ? ?
SO-8 ? ? SO-8 ? ?
-55 to 150 ? ? -55 to 150 ? ?
4.6 ? ? 4.6 ? ?
2.3 ? ? 2.3 ? ?
20 ? ? 20 ? ?
3 ? ? 3 ? ?

技術文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
元器件購買 CSD88539ND 相關庫存
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