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這款30V，4.0mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET功率MOSFET被設計成功率轉換應用中以最大程度降低電阻。
頂部圖標
要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄.R θJA = 50°C /W ，這是在一個厚度0.06英寸環氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的銅焊盤上測得的典型值
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD17577Q3A |
|---|
| 30 ? ? |
| Single ? ? |
| 6.4 ? ? |
| 4.8 ? ? |
| 239 ? ? |
| 13 ? ? |
| 2.8 ? ? |
| SON3x3 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.4 ? ? |
| 83 ? ? |
| 35 ? ? |
| Yes ? ? |
型號：CSD17577Q3A 封裝：VSONP8
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=4.8mΩ@10V VSONP8
金額：￥3.93570
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