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CSD19538Q3A CSD19538Q3A

數(shù)據(jù):

描述

這款100V,49mΩ,SON 3.3mm×3.3mm NexFET?功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管(MOSFET)旨在以最大限度降低導(dǎo)通損耗并減小以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用中的電路板尺寸。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 無鉛
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • 小外形尺寸無引線(SON)3.3mm×3.3mm塑料封裝

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19538Q3A CSD19537Q3 CSD19538Q2
100 ? ? 100 ? ? 100 ? ?
Single ? ? ? Single ? ?
61 ? ? 14.5 ? ? 59 ? ?
36 ? ? 219 ? ? 34.4 ? ?
4.3 ? ? 16 ? ? 4.3 ? ?
0.8 ? ? 2.9 ? ? 0.8 ? ?
SON3x3 ? ? SON3x3 ? ? SON2x2 ? ?
20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
3.2 ? ? 3 ? ? 3.2 ? ?
13.7 ? ? 53 ? ? 13.1 ? ?
15 ? ? 50 ? ? 14.4 ? ?
No ? ? No ? ? No ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
元器件購買 CSD19538Q3A 相關(guān)庫存

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