LMG5200器件集成了80V，10A驅動器和GaN半橋功率級，采用增強模式氮化鎵（GaN）FET提供了一套集成功率級解決方案。該器件包含兩個80V GaNFET，它們由采用半橋配置的同一高頻GaN FET驅動器提供驅動。

GaN FET在功率轉換方面的優勢顯著，因為其反向恢復電荷幾乎為零，輸入電容C _ISS 也非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數.LMG5200器件采用6mm×8mm ×2mm無鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。

該器件的輸入與TTL邏輯兼容，無論VCC電壓如何，都能夠承受高達12V的輸入電壓。專有的自舉電壓鉗位置技術確保了增強模式GaN FET的柵極電壓處于安全的工作范圍內。

該器件配有用戶友好型接口并更為出色，進一步提升了分立式GaN FET的優勢。對于具有高頻，高效操作及尺寸要求的應用而言，該器件堪稱理想的解決方案。與TPS53632G控制器搭配使用時，LMG5200能夠直接將48V電壓轉換為負載點電壓（0.5-1.5V）。