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LMC660 CMOS 四路運算放大器

數據:

描述

LMC660 CMOS四路運算放大器非常適合單電源供電。它的工作電壓范圍為+ 5V至+ 15.5V,除了包括接地的輸入共模范圍外,還具有軌到軌輸出擺幅。過去困擾CMOS放大器的性能限制不是這種設計的問題。輸入V OS ,漂移和寬帶噪聲以及電壓增益到實際負載(2kΩ和600Ω)都等于或優于廣泛接受的雙極性等效電路。

芯片采用TI先進的雙多晶硅柵極CMOS工藝制造。

請參閱LMC662數據表,了解具有相同功能的雙CMOS運算放大器。

特性

  • 軌到軌輸出擺幅
  • 指定為2kΩ和600Ω負載
  • 高電壓增益:126 dB
  • 低輸入失調電壓:3 mV
  • 低偏移電壓漂移:1.3μV/°C
  • 超低輸入偏置電流:2 fA
  • 輸入共模范圍包括V -
  • + 5V至+ 15.5V電源的工作范圍
  • I SS =375μA/放大器;獨立于V +
  • 低失真:10%時0.01%
  • 壓擺率:1.1 V /μs

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?通用 運算放大器

?
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
LMC660
4 ? ?
4.75 ? ?
15.5 ? ?
1.4 ? ?
1.1 ? ?
In to V-
Out ? ?
3 ? ?
0.38 ? ?
22 ? ?
Catalog ? ?
-40 to 85
0 to 70 ? ?
PDIP
SOIC ? ?
See datasheet (PDIP)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) ? ?
1.3 ? ?
N/A ? ?
0.2 ? ?
83 ? ?
21 ? ?
CMOS ? ?

方框圖 (1)

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