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TLC274 四路單電源運算放大器

數據:

描述

TLC274和TLC279四通道運算放大器結合了多種輸入失調電壓等級,具有低失調電壓漂移,高輸入阻抗,低噪聲和接近速度通用BiFET器件的那種。

這些器件采用德州儀器(TI)的硅柵LinCMOS TM 技術,該技術提供的偏移電壓穩定性遠遠超過傳統金屬柵極工藝的穩定性。

極高的輸入阻抗,低偏置電流和高壓擺率使這些經濟高效的器件非常適用于之前為BiFET和NFET產品預留的應用。提供四種偏移電壓等級(C后綴和I后綴類型),范圍從低成本TLC274(10 mV)到高精度TLC279(900 uV)。這些優勢與良好的共模抑制和電源電壓抑制相結合,使這些器件成為新的最先進設計以及升級現有設計的理想選擇。

一般而言,LinCMOS TM 運算放大器可提供與雙極技術相關的許多功能,而不會對雙極技術造成功率損失。 TLC274和TLC279可輕松設計一般應用,如換能器接口,模擬計算,放大器模塊,有源濾波器和信號緩沖。這些器件還具有低電壓單電源供電,非常適合遠程和難以接近的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負軌。

提供多種封裝選項,包括用于高密度系統應用的小外形和芯片載體版本。

器件輸入和輸出設計用于承受-100 mA的浪涌電流,而不會出現閂鎖現象。

TLC274和TLC279采用內部ESD保護電路,可防止在MIL-STD-883C,方法3015.2下測試的高達2000 V電壓下的功能故障;但是,在處理這些器件時應小心,因為暴露于ESD可能會導致器件參數性能下降。

C-suffix器件的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內工作。 M-suffix器件的特點是在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。

特性

  • 修整偏移電壓:
  • TLC279 ... 900 uV Max at 25°C,V DD < /sub> = 5 V
  • 輸入偏移電壓漂移...通常為0.1 uV /月,包括前30天
  • 超出指定溫度范圍的寬范圍電源電壓:
  • 0°C至70°C ... 3 V至16 V
  • -40°C至85°C ... 4 V至16 V
  • -55°C至125°C ... 4 V至16 V
  • 單電源供電
  • 共模輸入電壓范圍延伸至負電壓軌以下(C-Suffix和I-Suffix版本)
  • 低噪音......通常為25 nV / Hz \ f = 1 kHz
  • 輸出電壓范圍包括負軌
  • 高輸入阻抗... 10 12 典型
  • ESD保護電路
  • 小型封裝選項也適用于卷帶和光盤< /li>
  • 設計閂鎖免疫

LinC MOS是德州儀器公司的商標。

參數 與其它產品相比?通用 運算放大器

?
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TLC274 TLC271 TLC272
4 ? ? 1 ? ? 2 ? ?
3 ? ? 3 ? ? 3 ? ?
16 ? ? 16 ? ? 16 ? ?
0.32 ? ? 0.32 ? ? 0.32 ? ?
3.6 ? ? 3.6 ? ? 3.6 ? ?
In to V- ? ? In to V- ? ? In to V- ? ?
10 ? ? 10 ? ? 10 ? ?
0.675 ? ? 0.675 ? ? 0.7 ? ?
25 ? ? 25 ? ? 25 ? ?
Catalog ? ? Catalog ? ? Catalog ? ?
-40 to 85
-55 to 125
0 to 70 ? ?
-40 to 85
-55 to 125
0 to 70 ? ?
-40 to 85
0 to 70 ? ?
PDIP
SO
SOIC
SSOP
TSSOP ? ?
PDIP
SO
SOIC
TSSOP ? ?
PDIP
SO
SOIC
TSSOP ? ?
See datasheet (PDIP)
14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)
14SSOP: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SSOP)
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP) ? ?
See datasheet (PDIP)
8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP) ? ?
See datasheet (PDIP)
8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP) ? ?
1.8 ? ? 1.8 ? ? 1.8 ? ?
N/A ? ? Shutdown ? ? N/A ? ?
60 ? ? 60 ? ? 60 ? ?
80 ? ? 80 ? ? 80 ? ?
10 ? ? 10 ? ? 10 ? ?
CMOS ? ? CMOS ? ? CMOS ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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