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TLC27L1運算放大器結合了多種輸入失調電壓等級,具有低失調電壓漂移和高輸入阻抗。此外,TLC27L1是TLC271可編程放大器的低偏置版本。這些器件使用德州儀器公司的硅柵LinCMOS ??該技術提供的偏移電壓穩定性遠遠超過傳統金屬柵極工藝的穩定性。
有三種偏置電壓等級可供選擇(C后綴和I后綴類型),范圍從低 - 成本為TLC27L1(10 mV)至TLC27L1B(2 mV)低偏移版本。極高的輸入阻抗和低偏置電流,以及良好的共模抑制和電源電壓抑制,使這些器件成為新的最先進設計以及升級現有設計的理想選擇。
一般來說,LinCMOS中有許多與雙極技術相關的功能?運算放大器,沒有雙極技術的功率損失。 TLC27L1可以輕松設計一般應用,如換能器接口,模擬計算,放大器模塊,有源濾波器和信號緩沖。這些器件還具有低電壓單電源供電,非常適合遠程和難以接近的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負電壓軌。
器件輸入和輸出設計用于承受-100 mA浪涌電流而不會出現閂鎖現象。
TLC27L1內置靜電放電(ESD)保護電路,可防止電壓高達2000 V時的功能故障,如MIL-STD-883C,方法3015.2所測試;但是,在處理這些器件時應小心,因為暴露于ESD可能會導致器件參數性能下降。
C-suffix器件的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內工作。 M-suffix器件的特點是在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。
LinCMOS是德州儀器。
? |
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Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
Input Bias Current (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
? |
TLC27L1A |
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1 ? ? |
3 ? ? |
16 ? ? |
0.085 ? ? |
0.03 ? ? |
In to V- ? ? |
5 ? ? |
0.01 ? ? |
68 ? ? |
Catalog ? ? |
-40 to 85 0 to 70 ? ? |
PDIP SOIC ? ? |
See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? |
1.1 ? ? |
N/A ? ? |
60 ? ? |
94 ? ? |
1 ? ? |
CMOS ? ? |