TLC274和TLC279四通道運算放大器結(jié)合了多種輸入失調(diào)電壓等級，具有低失調(diào)電壓漂移，高輸入阻抗，低噪聲和接近速度通用BiFET器件的那種。

這些器件采用德州儀器（TI）的硅柵LinCMOS ^TM 技術(shù)，該技術(shù)提供的偏移電壓穩(wěn)定性遠遠超過傳統(tǒng)金屬柵極工藝的穩(wěn)定性。

極高的輸入阻抗，低偏置電流和高壓擺率使這些經(jīng)濟高效的器件非常適用于之前為BiFET和NFET產(chǎn)品預留的應用。提供四種偏移電壓等級（C后綴和I后綴類型），范圍從低成本TLC274（10 mV）到高精度TLC279（900 uV）。這些優(yōu)勢與良好的共模抑制和電源電壓抑制相結(jié)合，使這些器件成為新的最先進設計以及升級現(xiàn)有設計的理想選擇。

一般而言，LinCMOS ^TM 運算放大器可提供與雙極技術(shù)相關(guān)的許多功能，而不會對雙極技術(shù)造成功率損失。 TLC274和TLC279可輕松設計一般應用，如換能器接口，模擬計算，放大器模塊，有源濾波器和信號緩沖。這些器件還具有低電壓單電源供電，非常適合遠程和難以接近的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負軌。

提供多種封裝選項，包括用于高密度系統(tǒng)應用的小外形和芯片載體版本。

器件輸入和輸出設計用于承受-100 mA的浪涌電流，而不會出現(xiàn)閂鎖現(xiàn)象。

TLC274和TLC279采用內(nèi)部ESD保護電路，可防止在MIL-STD-883C，方法3015.2下測試的高達2000 V電壓下的功能故障;但是，在處理這些器件時應小心，因為暴露于ESD可能會導致器件參數(shù)性能下降。

C-suffix器件的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內(nèi)工作。 M-suffix器件的特點是在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內(nèi)工作。