完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
數(shù)據(jù): 具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間的 LMG1210 200V、1.5A、3A 半橋 GaN 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表
LMG1210是一款200V半橋高性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)驅(qū)動器,專為要求高開關(guān)速度,最短死區(qū)時(shí)間LDA精確控制至5V。
LMG1210 GaN驅(qū)動器經(jīng)精心設(shè)計(jì),應(yīng)用中,并具有可提供超高頻可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能,極短的傳播延遲以及1.5ns高側(cè)/低側(cè)匹配,以優(yōu)化系統(tǒng)效率。
GaN FET上額外的寄生電容被最小化至小于1pF,以減少額外的開關(guān)損耗。外部自舉二極管用于對高側(cè)自舉電容器充電,以便提供適用于電路工作條件的最佳選擇。
當(dāng)?shù)蛡?cè)不導(dǎo)通時(shí),內(nèi)部開關(guān)會關(guān)閉自舉二極管,以有效防止高側(cè)自舉過度充電,并在將硅二極管用作自舉二極管時(shí)將反向恢復(fù)電荷降至最低。
GaN驅(qū)動器可在兩種不同的模式下工作:獨(dú)立輸入模式(IIM)和PWM模式。在IIM中,每個(gè)輸出都由專用輸入獨(dú)立控制。在PWM模式下,兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號由單個(gè)輸入產(chǎn)生,用戶可將每個(gè)沿的死區(qū)時(shí)間從0ns調(diào)節(jié)為20ns.LMG1210可在-40 °C至125°C的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行,并采用低電感WQFN封裝。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
? |
---|
Driver Configuration |
Number of Channels (#) |
Power Switch |
Bus Voltage (V) |
Peak Output Current (A) |
Input VCC (Min) (V) |
Input VCC (Max) (V) |
Rise Time (ns) |
Fall Time (ns) |
Prop Delay (ns) |
Input Threshold |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
? |
LMG1210 | LM5113-Q1 | LMG1020 | LMG1205 |
---|---|---|---|
Half Bridge ? ? | Half Bridge ? ? | Low Side ? ? | Half Bridge ? ? |
2 ? ? | 2 ? ? | 1 ? ? | 2 ? ? |
MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? |
200 ? ? | 90 ? ? | ? | 90 ? ? |
3 ? ? | 5 ? ? | 7 ? ? | 5 ? ? |
6 ? ? | 4.5 ? ? | 4.75 ? ? | 4.5 ? ? |
18 ? ? | 5.5 ? ? | 5.25 ? ? | 5.5 ? ? |
0.5 ? ? | 7 ? ? | 0.21 ? ? | 7 ? ? |
0.5 ? ? | 3.5 ? ? | 0.21 ? ? | 3.5 ? ? |
10 ? ? | 30 ? ? | 2.5 ? ? | 35 ? ? |
TTL ? ? | TTL ? ? | TTL ? ? | TTL ? ? |
Catalog ? ? | Automotive ? ? | Catalog ? ? | Catalog ? ? |
-40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? |
WQFN ? ? | WSON ? ? | DSBGA ? ? | DSBGA ? ? |
19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) ? ? | See datasheet (WSON) ? ? | See datasheet (DSBGA) ? ? | See datasheet (DSBGA) ? ? |