描述

TLV313-Q1單通道運算放大器低功耗與良好的性能于一體。這使得器件非常適用于各種應用，如信息娛樂，引擎控制單元，汽車照明等。該器件具有軌到軌輸入和輸出（RRIO）擺幅，低靜態電流（典型值：65μA），高帶寬（1MHz）以及超低噪聲（1kHz時為26nV /√Hz）等特性，因此對于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電應用而言非常具有吸引力。此外，該系列器件具有低輸入偏置電流，因此適合用于源阻抗高達兆歐級的應用。

TLV313-Q1的穩健耐用設計便于電路設計人員使用。該器件在高達100pF的容性負載條件下單位增益穩定并集成了RFI /EMI抑制濾波器，在過驅條件下不會出現反相而且具有高靜電放電（ESD）保護功能（4kV人體模型（HBM））。

此類經過優化，適合在低至1.8V（±0.9V）和高達5.5V（±2.75V）的低壓下工作，額定擴展工作溫度范圍為結果，-40°C至+ 125℃。

單通道TLV313-Q1器件采用..

特性

• 符合汽車類應用的 要求
• 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性
  • 器件溫度 1 級：-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
• 面向成本敏感型系統的精密放大器
• 低 I_Q：每通道 65μA
• 寬電源電壓：1.8V 至 5.5V
• 低噪聲：1kHz 時為 26nV/√Hz
• 增益帶寬：1MHz
• 軌到軌輸入/輸出
• 低輸入偏置電流：1pA
• 低失調電壓：0.75mV
• 單位增益穩定
• 內部射頻干擾 (RFI)/電磁干擾 (EMI) 濾波器
• 工作溫度范圍：
  -40°C 至 +125°C

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參數 與其它產品相比?通用 運算放大器

? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) GBW (Typ) (MHz) Slew Rate (Typ) (V/us) Rail-to-rail Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Offset drift (Typ) (uV/C) Features Input bias current (Max) (pA) CMRR (Typ) (dB) Output current (Typ) (mA) Architecture ? TLV2313-Q1 OPA2313-Q1 TLV313-Q1 2 ? ? 2 ? ? 1 ? ? ? ? 1.8 ? ? ? ? 5.5 ? ? 1 ? ? 1 ? ? 1 ? ? 0.5 ? ? 0.5 ? ? 0.5 ? ? In
Out ? ? In
Out ? ? In
Out ? ? 3 ? ? 2.5 ? ? 3 ? ? 0.065 ? ? 0.05 ? ? 0.065 ? ? 26 ? ? 25 ? ? 26 ? ? Automotive ? ? Automotive ? ? Automotive ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? SOIC | 8
VSSOP | 8 ? ? SOIC | 8
VSSOP | 8 ? ? SC70 | 5 ? ? 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8) ? ? 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8) ? ? 5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2 (SC70 | 5) ? ? 2 ? ? 2 ? ? 2 ? ? Cost Optimized
EMI Hardened
Small Size ? ? EMI Hardened
Small Size ? ? Cost Optimized
EMI Hardened
Small Size ? ? ? 10 ? ? ? 85 ? ? 80 ? ? 85 ? ? 15 ? ? 15 ? ? 15 ? ? CMOS ? ? CMOS ? ? CMOS ? ? 無樣片

方框圖

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  TLV2313-Q1 - 功能方框圖