優勢和特點

• 反射式50 ?設計
• 低插入損耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
• 高隔離度：50 dB（典型值，2 GHz）
• 高功率處理
  • 連續平均功率：43 dBm
  • 峰值功率：46.5 dBm
• 高線性度
  • 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
  • 輸出三階交調截點(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
• ESD額定值
  • 人體模型(HBM)：2 kV，2級
  • 充電器件模型(CDM)：待定
• 單正電源
  • V_DD：5 V
• 正控制，TTL兼容
  • V_CTL： 0 V 或 5 V
• 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝 (16 mm²)

產品詳情

ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開關，采用無引腳、表貼封裝。該開關非常適合高功率和蜂窩基礎設施應用，如長期演進(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率處理能力、0.6 dB低插入損耗、68 dBm（典型值）輸入線性度三階交調截點和46 dBm下的0.1 dB壓縮點(P0.1dB)。片內電路在5 V單正電源電壓下工作，典型偏置電流為1 mA，使其成為基于引腳二極管開關的理想替代器件。

該器件采用符合RoHS標準的緊湊型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝。

應用

• 蜂窩/4G基礎設施
• 無線基礎設施
• 軍事和高可靠性應用
• 測試設備
• 引腳二極管替代器件

方框圖