優勢和特點

• 轉換增益：12 dB（典型值）
• 邊帶抑制：20 dBc（典型值）
• OP1dB壓縮：20 dBm（典型值）
• OIP3：27 dBm（典型值）
• 2× LO至RF隔離：10 dB（典型值）
• 2× LO至IF隔離：15 dB（典型值）
• RF回波損耗：12 dB（典型值）
• LO回波損耗：15 dB（典型值）

• IF回波損耗：15 dB（典型值）
• 裸露焊盤、4.90 mm × 4.90 mm、32引腳、陶瓷LCC封裝

產品詳情

HMC815B是一款緊湊的砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)上變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，工作頻率范圍為21 GHz至27 GHz。該器件提供12 dB的小信號轉換增益和20 dBc的邊帶抑制性能。HMC815B采用驅動放大器工作，前接由有源2×乘法器驅動LO的同相正交(I/Q)混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶濾波要求。

HMC815B為混合型單邊帶(SSB)下變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術。

HMC815B提供4.90 mm × 4.90 mm、32引腳LCC陶瓷封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C。如有需要，還可提供HMC815B評估板。

應用

• 點到點及點到多點無線電
• 軍用雷達、電子戰和電子情報
• 衛星通信
• 傳感器

方框圖