優勢和特點

• 轉換增益： 10 dB（典型值）
• 鏡像抑制： 30 dBc（典型值）
• 噪聲系數： 6 dB（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率： -10 dBm（典型值）
• 輸出三階交調截點(IP3)： -2 dBm（典型值）
• 輸出二階交調截點(IP2)： 25 dBm（典型值）
• RFIN上6倍LO泄漏： -40 dBm（典型值）
• 射頻(RF)回波損耗： 10 dB（典型值）
• 本振(LO)回波損耗： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

產品詳情

HMC7587是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下變頻器芯片，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整個頻段內提供10 dB小信號轉換增益和30 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用低噪聲放大器，后接由6倍倍頻器驅動的圖像抑制混頻器。

該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無需使用濾波器。 可針對直接變頻應用提供差分I和Q混頻器輸出。 或者，可利用外部90°混合型器件和兩個外部180°混合型器件將輸出合并，以實現單邊帶應用。 所有數據包括RF端口上3 mm寬線焊的效應以及中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應。

應用

• E頻段通信系統
• 高容量無線回程
• 測試與測量

方框圖