LTC3776 用于 DDR/QDR 存儲器終端的雙輸出、兩相、No RSENSE? 同步控制器

數(shù)據(jù)： LTC3776產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊

優(yōu)勢和特點

無需電流檢測電阻器
異相控制器減小了所需的輸入電容
V_OUT2 跟蹤 1/2 V_REF
對稱的輸出電流供應(yīng)/吸收能力 (V_OUT2)
擴頻操作 (當(dāng)被使能時)
寬 V_IN 范圍：2.75V 至 9.8V
恒定頻率電流模式操作
0.6V±1.5% 電壓基準(zhǔn) (V_OUT1)
低壓差操作：100% 占空比
用于頻率鎖定或調(diào)節(jié)的真正 PLL
內(nèi)部軟起動電路
電源良好輸出電壓監(jiān)視器
輸出過壓保護(hù)
微功率停機模式：I_Q = 9μA
纖巧型扁平（4mm x 4mm）QFN 封裝和窄體 SSOP 封裝

產(chǎn)品詳情

LTC^?3776 是一款面向 DDR/QDR 存儲器終端應(yīng)用的兩相、雙輸出同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器。第二個控制器負(fù)責(zé)將其輸出電壓調(diào)節(jié)至 1/2 V_REF，并提供了對稱的輸出電壓供應(yīng)和吸收能力。
無檢測電阻器 (No R_SENSE) 型恒定頻率電流模式架構(gòu)免除了增設(shè)檢測電阻器的需要，并改善了效率。通過使兩個控制器異相工作，最大限度地降低了由輸入電容的 ESR 所引起的功耗和噪聲。
開關(guān)頻率可被設(shè)置為高達(dá) 750kHz，因而允許使用小的表面貼裝型電感器和電容器。對于那些對噪聲敏感的應(yīng)用，可以從外部對 LTC3776 的開關(guān)頻率進(jìn)行同步處理 (同步范圍為 250kHz 至 850kHz)，也可啟用擴頻操作。強制連續(xù)操作可降低噪聲和 RF 干擾。在內(nèi)部提供了 V_OUT1 的軟起動周期，并可采用一個外部電容器來延長該周期。
LTC3776 采用纖巧的耐熱增強型 (4mm x 4mm) QFN 封裝或 24 引腳SSOP 窄體封裝。