LTC3718 用于 DDR/QDR 存儲(chǔ)器終端的低輸入電壓 DC/DC 控制器

數(shù)據(jù)： LTC3718產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊(cè)

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

非常低的 V_IN(MIN)：1.5V
超快的瞬態(tài)響應(yīng)
真正的電流模式控制
用于 N 溝道 MOSFET 的 5V 驅(qū)動(dòng)免除了 5V 輔助電源
無(wú)需檢測(cè)電阻器
采用標(biāo)準(zhǔn)的 5V 邏輯電平 N 溝道 MOSFET
V_OUT(MIN)：0.4V
V_OUT 跟蹤 1/2 V_IN 或外部 V_REF
對(duì)稱(chēng)的供應(yīng)和吸收輸出電流限制
可調(diào)的開(kāi)關(guān)頻率
t_ON(MIN) < 100ns
電源良好輸出電壓監(jiān)視器
可編程軟啟動(dòng)
輸出過(guò)壓保護(hù)
任選的短路停機(jī)定時(shí)器
小外形 24 引腳 SSOP 封裝

產(chǎn)品詳情

LTC

^?

3718 是一款用于 DDR 和 QDR^? 存儲(chǔ)器終端的高電流、高效率同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器。該器件采用一個(gè)低至 1.5V 的輸入工作，并提供一個(gè)等于 (0.5)V_IN 的穩(wěn)定輸出電壓。該控制器采用一種谷值電流控制架構(gòu)以實(shí)現(xiàn)高工作頻率和非常低的接通時(shí)間，而無(wú)需使用一個(gè)檢測(cè)電阻器。工作頻率利用一個(gè)外部電阻器來(lái)選擇，并針對(duì) V_IN 及 V_OUT 中的變化進(jìn)行補(bǔ)償。LTC3718 采用一對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的 5V 邏輯電平 N 溝道外部 MOSFET，從而免除了增設(shè)昂貴 P 溝道或低門(mén)限器件的需要。

強(qiáng)制連續(xù)操作可降低噪聲及 RF 干擾。故障保護(hù)由內(nèi)部折返電流限制、一個(gè)輸出過(guò)壓比較器和任選的短路停機(jī)定時(shí)器提供。針對(duì)電源排序的軟啟動(dòng)能力可采用一個(gè)外部定時(shí)電容器來(lái)實(shí)現(xiàn)。OPTI-LOOP