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FGA50S110P 1100 V 50 A 短路陽極IGBT

數據:

飛兆半導體的短路陽極溝道IGBT系列采用先進的場截止溝道和短路陽極技術,為開關應用提供出色的導通和開關性能??。該器件為電磁爐和微波爐量身定制。
特性
  • 內置反并聯二極管,用于軟開關應用
  • 大開關頻率范圍:10 kHz至50 kHz
  • 高溫穩定性能(T jmax = 175℃)
  • 低飽和壓降:V CE(sat) = 2.06 V,需要我 C = 50 A
  • 魯棒性鍋爐檢測噪聲抗擾度
  • 符合RoHS標準(無鉛引腳電鍍)

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(2)
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