該器件專門設計為單封裝解決方案，適合手機和其他超便攜應用的電池充電開關。 FDZ1905PZ采用飛兆先進的1.5V PowerTrench
工藝和最新?°低間距?± WL-CSP封裝工藝設計而成，具有兩個共用漏極P溝道MOSFET，可提供雙向電流，最大限度地減小了PCB空間和r
。 先進的WL-CSP MOSFET彰顯了封裝技術的突破性進展，使該器件將卓越的傳熱特性、超薄型封裝、低柵極電荷和低rS1S2(on)融合為一體。

• 最大 r
• = 126mΩ（V
• = -4.5V，I
• = -1A 時）
• 最大 r
• = 141mΩ（V
• = -2.5V，I
• = -1A 時）
• 最大 r
• = 198mΩ（V
• = -1.8V，I
• = -1A 時）
• 最大r
• = 303mΩ（V
• = -1.5V，I
• = -1A 時）
• 僅占1.5mm2的PCB空間，比2 x 2 BGA所占空間少50%
• 超薄封裝： 安裝至PCB時，高度小于0.65 mm
• 高功率和高電流處理能力
• HBM靜電放電保護等級為>4kV（注3）
• 符合 RoHS 標準