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FGH40N60SF 600 V 40 A 2.3 V TO-247

數據:

飛兆半導體的場截止IGBT系列采用新型場截止IGBT技術,為光伏逆變器,UPS,焊機和PFC等低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
特性
  • 高電流能力
  • 低飽和電壓:V CE(sat) = 2.3 V @ I C = 40A
  • 高輸入阻抗
  • 快速開關:E OFF = 8uJ / A
  • 符合RoHS標準
應用
  • 其他工業

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

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