CM1231專為亞微米硅設計而設計。這些器件非常適合保護具有高數據和時鐘速率的系統以及需要低容性負載的電路，如USB 2.0。 CM1231-02SO采用雙級ESD架構，與傳統的單鉗位設計相比，可提供更高的系統級ESD保護。此外，CM1231-02SO還提供受控濾波器滾降功能，可實現更高的雜散EMI抑制和信號完整性。根據IEC 61000-4-2標準，CM1231-02SO可防止OUT引腳上高達12 kV的ESD脈沖。該器件還具有易于布線的直通差分引腳布局。