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      H11D3M 6引腳DIP高BVceo下光電晶體管輸出光電耦合器

      數據：

      4N38M，H11D1M，H11D3M和MOC8204M都是耦合至光隔離器的光電晶體管類型。一個砷化鎵紅外發光二極管與一個高壓NPN硅光電二極管耦合。該器件提供標準塑封6引腳雙列直插封裝。
      特性
      • 高電壓：
      • MOC8204M，BV CEO = 400 V
      • H11D1M，BV CEO = 300 V
      • H11D3M，BV CEO = 200 V
      • 安全和法規認證：
      • UL1577,4170 VAC RMS （1分鐘）
      • DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作絕緣電壓
      應用
      • 消費型設備
      • 工業級電機

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（8）
      元器件購買 H11D3M 相關庫存
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