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      H11F3M 6引腳DIP雙向模擬FET輸出光電耦合器

      數據：

      H11FXM系列包含一個韻鋁化鎵IRED發光二極管，該二極管光學耦合至對稱雙向硅光電探測器。探測器與輸入端絕緣，功能類似于理想的隔離式FET，設計用于低電平AC和DC模擬信號的無失真控制。
      特性
      • 作為一個遠程可變電阻：
      • ≤100Ω至≥300MΩ
      • ≤15pF分流電容
      • ≥100GΩI/ O隔離電阻作為模擬開關：
      • 極低失調電壓
      • 60 V pk-pk 信號能力
      • 無電荷注入或閂鎖
      • UL認證（文件編號E90700）
      應用
      • 消費型設備
      • 工業級電機

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（8）
      元器件購買 H11F3M 相關庫存

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