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      3天內不再提示

      VP2106 MOSFET，P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE，-60V，12 Ohm

      數據：

      產品信息

      這種增強型（常關）晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性，不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。

      免于二次故障

      低功率驅動要求

      ;易于并聯

      低CISS和快速切換速度

      卓越的熱穩定性

      整體源 - 排水二極管

      高輸入阻抗和高增益

      電路圖、引腳圖和封裝圖

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