產品信息
這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 高輸入阻抗和高增益 低功率驅動要求 &nbsp ; 易于并聯 低CISS和快速切換速度 卓越的熱穩定性 整體來源 - 二極管 免于二次故障
電路圖、引腳圖和封裝圖