AFBR-S4N44P163 采用高清技術的4x4 NUV硅光電倍增管(SiPM)
數據:
AFBR-S4N44P163:4×4 NUV-HD硅光電倍增器陣列數據表
描述
AFBR-S4N44P163是一個4x4像素硅光電倍增管(SiPM)陣列,用于單光子的超靈敏精確計數。
該器件采用硅通孔(TSV)技術有效利用表面積,無需電線即可實現高封裝密度。通過平鋪多個陣列可以覆蓋更大的探測器區域,幾乎沒有邊緣損失。
探測器在可見光譜中具有廣泛的響應,特別優化了藍光和近紫外光。
低至紫外波長的高透明薄玻璃層保護陣列,非常適合檢測來自最常見閃爍體的閃爍或Cherenkov光,如LSO,LYSO,GSO,BGO,NaI,CsI,BaF, LaBr。
功能
- 420 nm以上的高PDE超過55%
- 高填充因子(像素和平鋪)
- 優秀的SPTR和CRT
- 擊穿電壓的均勻性(和瓷磚之間的差值<300 mV)
- 采用TSV技術,陣列是4面可用的
- 細胞間距30 x 30µ m²
- 瓷磚尺寸15.9 x 15.9 mm²
- 陣列厚度僅為1.28 mm
- 高度透明玻璃保護層
- 32背面觸點,可回流焊接
- 工作溫度范圍從-20°C到+ 50°C
- 符合RoHS和REACH標準
應用
- X射線和伽瑪射線檢測
- 核醫學
- 正電子發射斷層掃描
- 安全性
- 物理實驗