AFBR-S4N66C013 NUV-HD單硅光電倍增器
數(shù)據(jù):
AFBR-S4N66C013:NUV-HD單硅光電倍增器
描述
Broadcom® AFBR-S4N66C013是一款單硅光電倍增管(SiPM),用于單光子的超靈敏精密測量。
有效面積為6.14倍; 6.14 mm 2 。使用穿硅通孔(TSV)技術(shù)實(shí)現(xiàn)單個芯片的高封裝密度。通過將多個AFBR-S4N66C013芯片平鋪到陣列中可以覆蓋更大的區(qū)域,幾乎沒有任何邊緣損耗。保護(hù)層由高度透明的玻璃制成,直至紫外波長,在可見光譜中產(chǎn)生廣泛響應(yīng),對光譜的藍(lán)光和近紫外區(qū)域具有高靈敏度。
特征
- 420 nm時的高PDE超過55%
- 高填充因子
- 優(yōu)異的SPTR和CRT
- 優(yōu)異的均勻性擊穿電壓
- 增益均勻性
- 采用TSV技術(shù)(4面可用)
- 尺寸6.14 × 6.14 mm 2 n細(xì)胞間距30次; 30微米 2
- 高度透明的玻璃保護(hù)層
- 工作溫度范圍從– 40°C到+ 85°C
- 符合RoHS和REACH
應(yīng)用
- X射線和伽馬射線檢測
- 伽瑪射線光譜
- 安全性
- 核醫(yī)學(xué)
- 正電子發(fā)射斷層掃描
- 生命科學(xué)n流式細(xì)胞術(shù)
- 熒光–發(fā)光測量
- 時間相關(guān)單光子計數(shù)
- 高能物理學(xué)
- 天體物理學(xué)