--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 32~38 GHz
- 典型小信號增益 25dB
- 典型輸出功率 42dBm@24V
- 典型附加效率 30%
- 工藝類型 0.15um HEMT 技術(shù)
- 偏置 24V,0.15A(10%
- 使用條件 脈沖,連續(xù)被
- 外形尺寸 2.8mm×3.4mm×0.08mm
--- 產(chǎn)品詳情 ---
WFDN320380-P41 型芯片是一款性能優(yōu)良的 32~38GHz 高功率放大器,使用 0.15um 柵長的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝制造而成。該芯片通過背面金屬經(jīng)通孔接地。所有芯片產(chǎn)品全部經(jīng) 100%射頻測量。WFDN320380-P41 型芯片為雙電源工作,漏極電壓Vds=24V 可在 32~38 GHz 內(nèi)提供 41dBm 的輸出功率。該芯片主要用于毫米波收發(fā)組件、無線通訊等。
關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)
頻率:32~38 GHz
典型小信號增益:25dB
典型輸出功率:42dBm@24V
典型附加效率: 30%
工藝類型:0.15um HEMT 技術(shù)
偏置:24V,0.15A(10%)
使用條件:脈沖,連續(xù)被
外形尺寸:2.8mm×3.4mm×0.08mm
漏電壓 28V
漏電流 5A
柵電壓 -10V
柵電流 100mA
直流功耗 28W
輸入信號功率 28dBm
溝道工作溫度 225℃
燒結(jié)溫度 310℃ 1min,N2保護(hù)
存儲溫度 -55~150℃
壓點(diǎn)定義
RFin 射頻信號輸入端、外接 50 歐姆系統(tǒng),如該壓點(diǎn)有外加的直流電,需隔直電容
RFout 射頻信號輸出端、外接 50 歐姆系統(tǒng)、無需隔直電容
VG 放大器柵極偏置,需外接 100pF、1000pF 電容
VD1、VD2、VD3 放大器漏極偏置,需外接 100pF、1000pF 電容
GND 芯片底部與射頻及直流地需良好接觸
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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