--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 衰減范圍 0.5 dB LSB,步進(jìn)為 31.5 dB
- 低插入損耗 1.0 GHz 時為 1.1 dB
- 低插入損耗 2.0 GHz 時為 1.5 dB
- 極高的衰減精度 低于 ±0.25 dB(以及 3% 的衰減狀態(tài))
- 低相移誤差 1.0 GHz 時相移為 4
- 雙向使用 30 dBm 高功率處理能力
- 高線性度P1dB 31 dBm(典型值)
- 輸入 IP3 52 dBm(典型值)
- 單電源供電 3.3 V 到 5.0 V
- ESD 靈敏度額定值 1C 級(1 kV 人體模型)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC8073 是一款 6 位數(shù)字步進(jìn)衰減器 (DSA),工作頻率范圍為 0.6 GHz 到 3.0 GHz,衰減范圍為 31.5 dB,步進(jìn)為 0.5 dB。
HMC8073 通過硅工藝實現(xiàn),具有很短的建立時間、低功耗以及高靜電放電 (ESD) 抗擾性。該器件具有安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換功能,從而能夠在不發(fā)生過沖的情況下發(fā)生衰減狀態(tài)變化,該器件還進(jìn)行了優(yōu)化,可以在工作頻率和溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)出色的步進(jìn)精度以及高功率和高線性度。射頻 (RF) 輸入和輸出可在內(nèi)部與 50 Ω 相匹配,不需要任何外部匹配組件。該設(shè)計是雙向的,RF 輸入和輸出可互換。
利用 HMC8073 的外部地址功能,用戶可以通過單條總線控制多達(dá)八個 DSA。該 DSA 具有一個片內(nèi)穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器支持 3.3 V 到 5.0 V 的寬電源工作范圍,而不會在電氣特性方面產(chǎn)生性能變化。HMC8073 包含一個互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) - 和晶體管晶體管邏輯 (TTL) - 兼容接口,該接口支持對衰減器進(jìn)行串行(3 線)控制。
HMC8073 采用符合 RoHS 指令的緊湊式 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。
衰減范圍:0.5 dB LSB,步進(jìn)為 31.5 dB
低插入損耗
1.0 GHz 時為 1.1 dB
2.0 GHz 時為 1.5 dB
極高的衰減精度
低于 ±0.25 dB(以及 3% 的衰減狀態(tài))
低相移誤差:1.0 GHz 時相移為 4°
雙向使用:30 dBm 高功率處理能力
在 RFIN/RFOUT 引腳上提供內(nèi)部直流隔斷器
高線性度
P1dB:31 dBm(典型值)
輸入 IP3:52 dBm(典型值)
安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換
TTL/CMOS 串行接口
在單條數(shù)據(jù)總線上連接多達(dá) 8 個器件
單電源供電:3.3 V 到 5.0 V
ESD 靈敏度額定值:1C 級(1 kV 人體模型)
16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝:9 mm2
應(yīng)用
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
微波無線電
甚小孔徑終端
測試量設(shè)備和傳感器
ADRF5473 HMC8073LP3DE
ADH939S HMC1122LP4ME
ADH941S HMC273AMS10GE
ADRF5740BCCZN HMC539ALP3E
ADRF5720BCCZN HMC802ALP3E
ADRF5721BCCZN HMC305SLP4E
ADRF5730BCCZN HMC540SLP3E
ADRF5731BCCZN HMC306AMS10E
HMC425ALP3E HMC1095LP4E
HMC1018ALP4E HMC792ALP4E
HMC1019ALP4E HMC468ALP3E
HMC291SE HMC472ALP4E
HMC1119LP4ME HMC542BLP4E
HMC939A HMC624ALP4E
HMC939ALP4E HMC759LP3E
HMC941A HMC424A
HMC941ALP4E HMC424AG16
HMC470ALP3E HMC424ALH5
HMC629ALP4E HMC424ALP3E
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