--- 產品參數 ---
- 增益 17 dB 小信號增益
- 工作電壓 2 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V
- 電壓 高擊穿電壓
- 操作 高溫操作
- 尺寸 尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸
--- 產品詳情 ---
Cree 的 CMPA0060002D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子基于移動晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路(MMIC) 。 與硅相比,GaN 具有更優越的性能或砷化鎵,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與 Si 和 GaAs 晶體管相比。 該 MMIC 采用分布式(行波)放大器設計方法,使極寬的帶寬可以在很小的空間內實現。
特征
17 dB 小信號增益
2 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸
應用
超寬帶放大器
光纖驅動器
測試儀器
EMC 放大器驅動器
相關型號
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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