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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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PC3M0120065L碳化硅MOSFET

型號： PC3M0120065L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 650V
  • 柵極 - 源極電壓 -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 51A
  • 功耗 98W
  • 工作結溫和存儲溫度 -40 to +175?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

PC3M0120065L碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位；啟用更小；打火機; 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電源轉換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內(nèi)的應用；服務器/電信電源；電動汽車充電系統(tǒng)；儲能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。

PC3M0120065L


好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率
? 易于并聯(lián)且易于驅動
? 啟用新的硬開關 PFC 拓撲（圖騰柱）


特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準


應用
? 太陽能逆變器
? DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
? 電動汽車電池充電器
? UPS


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