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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C3M0065090D碳化硅MOSFET

型號(hào)： C3M0065090D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 900V
  • 柵極 源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 柵極 源極電壓動(dòng)態(tài) -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 22A
  • 功耗 45W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0030090K擴(kuò)展了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)低電感分立封裝方面的領(lǐng)先地位，具有寬漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時(shí)提供適用于高污染環(huán)境的額外電氣隔離。獨(dú)立的 Kelvin 源極引腳降低了電感；可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 30%。設(shè)計(jì)人員可以通過從基于硅的轉(zhuǎn)變來減少組件數(shù)量；改進(jìn)的開關(guān)性能使三級(jí)拓?fù)渥優(yōu)楦?jiǎn)單的兩級(jí)拓?fù)涑蔀榭赡?/p>

C3M0030090K


好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率


特征
? C3M SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用
? 再生能源
? 燈光
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 電信電源
? 感應(yīng)加熱


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