C3M0120090J擴展了其在碳化硅 (SiC) 技術低電感分立封裝方面的領先地位，具有寬漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時提供適用于高污染環境的額外電氣隔離。獨立的 Kelvin 源極引腳降低了電感；可將開關損耗降低多達 30%。設計人員可以通過從基于硅的轉變來減少組件數量；改進的開關性能使三級拓撲變為更簡單的兩級拓撲成為可能。
好處
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率
特征
? 新的 C3M SiC MOSFET 技術
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 帶有驅動源的新型低阻抗封裝
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
應用
? 再生能源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
? 燈光
相關型號
C3M0120090J C3M0032120K
C3M0120090D C3M0040120J1
C3M0280090J C3M0040120D
C3M0280090D C3M0040120K
C3M0065100J C2M0040120D
C3M0065100K C3M0075120D-A
C3M0120100J C3M0075120K-A
C3M0120100K E3M0075120K
C3M0016120D E3M0075120D
C3M0016120K C3M0075120D
C3M0021120D C3M0075120J
C3M0021120K C3M0075120K
C2M0025120D C2M0080120D
C3M0032120J1 C3M0160120J
C3M0032120D C3M0160120D
