C3M0120090D擴展了其在碳化硅 (SiC) 技術低電感分立封裝方面的領先地位，具有寬漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時提供適用于高污染環境的額外電氣隔離。獨立的 Kelvin 源極引腳降低了電感；可將開關損耗降低多達 30%。設計人員可以通過從基于硅的轉變來減少組件數量；改進的開關性能使三級拓撲變為更簡單的兩級拓撲成為可能。
好處
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率
特征
? C3M SiC MOSFET 技術
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 再生能源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
? 燈光
相關型號
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