C3M0065100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統等快速開關設備進行了優化；工業電源；和可再生能源系統。
1000 V 碳化硅 MOSFET 通過提供具有低導通電阻的獨特器件解決了許多電源設計挑戰；非常低的輸出電容；低源電感，完美融合了低開關損耗和低導通損耗。與基于硅的解決方案相比；Wolfspeed 碳化硅功率器件技術可提高系統功率密度；更高的開關頻率；減少組件數量；減小電感器等組件的尺寸；電容器；過濾器和變壓器。
好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統效率
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率
特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術
? 低寄生電感，帶有獨立的驅動器源極引腳
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 低輸出電容 (60pF)
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 再生能源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
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