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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C3M0160120J碳化硅MOSFET

型號(hào)： C3M0160120J

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài) -8/+19V
  • 柵極-源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 脈沖漏極電流 34A
  • 功耗 90W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0160120J為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應(yīng)用；電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)；開關(guān)電源；太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)；電動(dòng)汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多。基于第三代技術(shù)；各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)樗麄兊膽?yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強(qiáng)大組合。

C3M0160120J


優(yōu)點(diǎn)
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有驅(qū)動(dòng)源引腳的低阻抗封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
? 再生能源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? UPS


相關(guān)型號(hào)
C3M0160120J C3D03060E
C3M0160120D C3D03060F
C2M0160120D C3D03060A
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C2M1000170D C3D06060G
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CSD01060A C3D10060G
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