CGH09120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGH09120F

--- 產品參數 ---

頻率 UHF – 2.5 GHz 操作
增益 21分貝增益
功率 -38 dBc ACLR，20 W PAVE
PAVE效率 20 W PAVE 時效率為 35 %
適用于可應用高度 DPD 校正

--- 產品詳情 ---

CGH09120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH09120F 成為 MC-GSM 的理想選擇；WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

特征
UHF – 2.5 GHz 操作
21分貝增益
-38 dBc ACLR，20 W PAVE
20 W PAVE 時效率為 35 %
可應用高度 DPD 校正

應用
WiMAX
BWA
LTE

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