CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號： CGH21120F

--- 產品參數 ---

頻率 1.8 – 2.3 GHz 操作
增益 15分貝增益
功率 -35 dBc ACLR，20 W PAVE
PAVE效率 20 W PAVE 時效率為 35 %
應用可應用高度 DPD 校正

--- 產品詳情 ---

CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3-GHz WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

特征
1.8 – 2.3 GHz 操作
15分貝增益
-35 dBc ACLR，20 W PAVE
20 W PAVE 時效率為 35 %
可應用高度 DPD 校正

應用
碼分多址
LTE
WiMAX

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