C3D02060F為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業內最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經過優化，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于第三代技術；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創造了更高效率的強大組合。
優點
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 無需額外隔離
特征
? 600 伏肖特基整流器
? 針對 PFC 升壓二極管應用進行了優化
? 零正向和反向恢復
? 高頻操作
? 與溫度無關的開關行為
? 極快的切換
? VF 上的正溫度系數
? 完全隔離的外殼
應用
? 開關模式電源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續流二極管
? AC/DC 轉換器
重復峰值反向電壓:600V
直流阻斷電壓：600V
功耗：22.7;9.8W
二極管 dV/dt 耐用性：200V/ns
工作結溫和存儲溫度:-55to+175?C
相關型號
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