C6D08065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯以滿足各種應用要求，而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統成本。
好處
? 電氣隔離封裝
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件
特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數
? 零反向恢復電流/正向
恢復電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 低電感的薄型封裝
應用
? 企業電源、服務器和電信
電源
? 開關模式電源
? 工業電源
? 提升功率因數校正
? 自舉二極管
? LLC 鉗位
重復峰值反向電壓:650V
直流阻斷電壓：650V
連續正向電流：14-8A
功耗：83-36W
工作結溫和存儲溫度:-55to+175?C
外殼和存儲溫度：-55to+150?C
相關型號
C6D08065Q C3D12065A
C6D08065G C3D16065D1
E3D08065G C3D16065D
C3D08065E C6D16065D
C3D08065A C3D16065A
C6D08065E C3D20065D
C6D08065A C6D20065D
C3D08065I E3D20065D
C6D10065Q C3D30065D
C6D10065G E3D30065D
C3D10065E E4D02120E
C3D10065A C4D02120E
C6D10065E C4D02120A
C6D10065A C4D05120E
C3D10065I C4D05120A
