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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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E4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

型號: E4D20120D

--- 產品參數 ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 最大持續電流 20A
  • 總電容電荷 每條腿52nC
  • 功耗 176W
  • 正向電壓 1.5V

--- 產品詳情 ---

E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現更高效率和更低組件價格的強大組合。

E4D20120D


好處
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件
? 戶外環境的理想選擇


特征
? 第 4 代 SiC 合并 PIN 肖特基技術
? 零反向恢復電流
? 高頻操作
? 與溫度無關的開關行為
? 符合 AEC-Q101 標準并支持 PPAP
? 防潮


應用
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續流二極管
? AC/DC 轉換器
? 汽車和牽引電源轉換
? 光伏逆變器


阻斷電壓:1200V
最大持續電流:20A
總電容電荷:每條腿52nC
功耗:176W
正向電壓:1.5V

 


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