C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯以滿足各種應用要求，而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統成本。
特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數
? 零反向恢復電流/正向恢復
電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 增加爬電距離/間隙 + HV-H3TRB 堅固
應用
? 電池充電器
? 太陽能和可再生能源電力轉換
? 工業電源
? PFC 和 DC-DC 中的升壓二極管
阻斷電壓:1200V
最大持續電流：30A
總電容電荷：152nC
功耗：441W
正向電壓：1.5V
二極管dV/dt耐用性：250 V/ns
相關型號
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