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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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C4D40120H分立碳化硅肖特基二極管

型號: C4D40120H

--- 產品參數 ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 最大持續電流 40A
  • 總電容電荷 167nC
  • 功耗 667W
  • 正向電壓 1.5V
  • 電容儲能 36 µJ

--- 產品詳情 ---

C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準,同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯以滿足各種應用要求,而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產品的性能,SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統成本。

C4D40120H


特征
? 低正向電壓(VF) 以正面下降
溫度系數
? 零反向恢復電流/正向恢復
電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 增加爬電距離/間隙 + HV-H3TRB 堅固


應用
? 電池充電器
? 太陽能和可再生能源電力轉換
? 工業電源
? PFC 和 DC-DC 中的升壓二極管

 

阻斷電壓:1200V
最大持續電流:40A
總電容電荷:167nC
功耗:667W
正向電壓:1.5V
電容儲能:36 μJ

 

 


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