CPM3-0650-0045A是650 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。通過推出第三代 650 V 碳化硅 MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術領先地位；啟用更小；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V SiC MOSFET 是高性能工業電源等應用的理想選擇；服務器/電信電源；電動汽車充電系統；儲能系統；不間斷電源；和電池管理系統。
好處
以更低的開關和傳導損耗提高系統效率
實現高開關頻率操作
提高系統級功率密度
減小系統尺寸；重量; 和冷卻要求
特征
隨溫度變化的低通態電阻
低寄生電容
具有超低反向恢復的快速二極管
高溫操作 (Tj = 175°C)
應用
工業電源
服務器/電信
電動汽車充電系統
儲能系統 (ESS)
不間斷電源 (UPS)
電池管理系統 (BMS)
阻斷電壓:650V
電阻：45hR
柵極電荷總數：63nC
輸出電容：100 pF
反向恢復電荷：247 nC
反向恢復時間 ：13納秒
最高結溫：175°C
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