CPM3-1200-0021A是1200 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對高功率應用進行了優化提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對不間斷電源 (UPS) 等大功率應用進行了優化；電機驅動器；開關電源；太陽能和儲能系統；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于最新的第三代技術；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導通電阻和封裝選項，使設計人員能夠為其應用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設計，以提高硬開關性能。軟開關應用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應用中實現更高效率的強大組合。從基于硅的解決方案轉向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統尺寸；重量; 設計復雜性；大多數大功率應用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設計人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。。
好處
以更低的開關損耗提高系統效率
減小系統尺寸；重量; 和冷卻要求
增加功率密度
易于并行并與標準柵極驅動設計兼容
特征
高阻斷電壓和業界領先的低 RDS(on) 過溫穩定性
具有低反向恢復電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
具有低輸出電容的高速開關
溫度范圍內的低傳導損耗
雪崩堅固性
應用
固態斷路器
可再生能源逆變器
高壓 DC/DC 轉換器
開關模式電源
不間斷電源 (UPS)
高性能焊接電源
高壓系統的輔助電源
阻斷電壓:1200V
電阻：21hR
柵極電荷總數：162 nC
輸出電容：180 pF
反向恢復電荷：982nC
反向恢復時間 ：34納秒
最高結溫：175°C
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