CAB650M17HM3是HM 電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊占位面積專為超高功率密度而設計。開發了 HM 功率模塊平臺，以在功率密度敏感的應用中提供碳化硅 (SiC) 的優勢；同時保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺的碳化硅優化封裝可實現 175°C 的連續結操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板，可確保極端條件下的機械穩健性和輕質 AlSiC 基板。HM3 非常適合要求苛刻的應用，例如工業測試設備、醫療電源、航空航天和牽引驅動。
系統優勢
? 支持緊湊、輕量級的系統
? 由于低開關量，提高了系統效率
和 SiC 的傳導損耗
? 降低熱需求和系統成本
技術特點
? 超低損耗
? 高頻操作
? MOSFET 的零關斷尾電流
? 常關、故障安全設備操作
應用
? 鐵路、牽引和電機驅動
? 電動汽車充電器
? 高效轉換器/逆變器
? 可再生能源
? 智能電網/并網分布式發電
阻斷電壓:1200V
包裹：HM 高性能 62 毫米
配置：半橋
最大脈沖正向電流：1300V
電阻：1.67μJ
模塊尺寸：110 毫米x65毫米x12.2毫米
最高結溫：175°C
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