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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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CAB008A12GM3碳化硅功率模塊

型號： CAB008A12GM3

--- 產品參數 ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 包裹 GM3
  • 配置 半橋（AlN 基板）
  • 電阻 8μJ
  • 模塊尺寸 62.8 毫米 x 56.7 毫米
  • 最高結溫 150°C

--- 產品詳情 ---

CAB008A12GM3是碳化硅功率模塊系列。碳化硅的實施變得簡單；袖珍的;出了無基板模塊系列，以滿足中等功率應用的要求；提供整個電力電子連續體的解決方案。這款模塊是希望在緊湊型中提高效率和功率密度的設計人員的絕佳選擇；行業標準的足跡。該系列模塊為快速設計實施提供了出色的解決方案；可擴展性；并降低裝配開銷。目前有半橋和六組配置。

CAB008A12GM3

系統優勢
? 支持緊湊、輕量級的系統
? 由于 SiC 的低開關損耗和傳導損耗，提高了系統效率
? 降低熱需求和系統成本


技術特點
? 超低損耗
? 高頻操作
? MOSFET 的零關斷尾電流
? 常關、故障安全設備操作
? 氮化鋁陶瓷基板


應用
? 電動汽車充電器
? 太陽的
? 高效轉換器/逆變器
? 電機和牽引驅動器
? 智能電網/并網分布式發電


阻斷電壓:1200V
包裹：GM3
配置：半橋（AlN 基板）
電阻：8μJ
模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米
最高結溫：150°C


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