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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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CGHV35400F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV35400F1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 操作頻率 2.9 – 3.5 GHz
  • 典型輸出功率 500 W
  • 功率增益 11分貝
  • 典型排水效率 70%
  • 歐姆內(nèi)部匹配 50
  • 脈沖幅度下降 <0.3 dB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV35400F1 是一款完全匹配的氮化鎵 (GaN) IMFET，采用耐熱增強型氣腔封裝。該器件在 50V 電壓下工作，能夠提供 500W 的脈沖輸出功率，在 20% 占空比下具有 2mS 的脈沖長度。

CGHV35400F1

 

特征
2.9 – 3.5 GHz 操作
500 W 典型輸出功率
11分貝功率增益
70% 典型排水效率
50 歐姆內(nèi)部匹配
<0.3 dB 脈沖幅度下降

應用
S 波段雷達放大器


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